• info@matltech.com
  • E2-1-1011 Global Center, No.1700 Tianfu Avenue North, Chengdu 610041, China.
English
wmk_product_02
Cadmium Arsenide Cd3As2 | GaAs InAs Nb3As2 Featured Image
  • Cadmium Arsenide Cd3As2 | GaAs InAs Nb3As2
  • Cadmium Arsenide Cd3As2 | GaAs InAs Nb3As2
  • Cadmium Arsenide Cd3As2 | GaAs InAs Nb3As2
  • Cadmium Arsenide Cd3As2 | GaAs InAs Nb3As2
  • Cadmium Arsenide Cd3As2 | GaAs InAs Nb3As2

Kadmium Arsenide Cd3As2|GaAs InAs Nb3As2

Penerangan

Kadmium Arsenide Cd3As25N 99.999%,warna kelabu gelap, dengan ketumpatan 6.211g/cm3, takat lebur 721°C, molekul 487.04, CAS12006-15-4, larut dalam asid nitrik HNO3 dan kestabilan dalam udara, adalah bahan kompaun tersintesis kadmium dan arsenik ketulenan tinggi.Kadmium Arsenide ialah semimetal tak organik dalam keluarga II-V dan mempamerkan Kesan Nernst.Kristal Kadmium Arsenide yang ditanam melalui kaedah pertumbuhan Bridgman, struktur separuh logam Dirac pukal bukan berlapis, ialah semikonduktor jenis N-jenis II-V yang merosot atau semikonduktor jurang sempit dengan mobiliti pembawa tinggi, jisim berkesan rendah dan pengaliran sangat bukan parabola. pancaragam.Kadmium Arsenide Cd3As2 atau CdA ialah pepejal kristal dan menemui lebih banyak aplikasi dalam semikonduktor dan dalam medan optik foto seperti dalam pengesan inframerah menggunakan kesan Nernst, dalam penderia tekanan dinamik filem nipis, laser, diod pemancar cahaya LED, titik kuantum, hingga membuat magnetoresistor dan dalam pengesan foto.Sebatian arsenide Arsenide GaAs, Indium Arsenide InAs dan Niobium Arsenide NbAs atau Nb5As3mencari lebih banyak aplikasi sebagai bahan elektrolit, bahan semikonduktor, paparan QLED, medan IC dan medan bahan lain.

Penghantaran

Kadmium Arsenide Cd3As2dan Gallium Arsenide GaAs, Indium Arsenide InAs dan Niobium Arsenide NbAs atau Nb5As3di Western Minmetals (SC) Corporation dengan ketulenan 99.99% 4N dan 99.999% 5N adalah dalam saiz serbuk mikro polihabluran -60mesh, -80mesh, nanozarah, ketulan 1-20mm, butiran 1-6mm, ketulan, kosong, kristal pukal dan kristal tunggal dll ., atau sebagai spesifikasi tersuai untuk mencapai penyelesaian yang sempurna.


Butiran

Tag

Spesifikasi teknikal

Sebatian Arsenida

Sebatian Arsenida terutamanya merujuk kepada unsur logam dan sebatian metalloid, yang mempunyai komposisi stoikiometri yang berubah dalam julat tertentu untuk membentuk penyelesaian pepejal berasaskan sebatian.Kompaun antara logam mempunyai sifat yang sangat baik antara logam dan seramik, dan menjadi cabang penting bagi bahan struktur baharu.Selain Gallium Arsenide GaAs, Indium Arsenide InAs dan Niobium Arsenide NbAs atau Nb5As3juga boleh disintesis dalam bentuk serbuk, butiran, ketulan, bar, kristal dan substrat.

Kadmium Arsenide Cd3As2dan Gallium Arsenide GaAs, Indium Arsenide InAs dan Niobium Arsenide NbAs atau Nb5As3di Western Minmetals (SC) Corporation dengan ketulenan 99.99% 4N dan 99.999% 5N adalah dalam saiz serbuk mikro polihabluran -60mesh, -80mesh, nanozarah, ketulan 1-20mm, butiran 1-6mm, ketulan, kosong, kristal pukal dan kristal tunggal dll ., atau sebagai spesifikasi tersuai untuk mencapai penyelesaian yang sempurna.

CM-W2

GaAs-W3

Tidak.

item

Spesifikasi Standard

Kesucian

Kekotoran PPM Max setiap satu

Saiz

1

Kadmium ArsenideCd3As2

5N

 Ag/Cu/Ca/Mg/Sn/Fe/Cr/Bi 0.5, Ni/S 0.2, Zn/Pb 1.0

-60mesh -80mesh serbuk, 1-20mm ketulan, 1-6mm granul

2

Gallium Arsenide GaAs

5N 6N 7N

 Komposisi GaAs tersedia atas permintaan

3

Niobium Arsenide NbAs

3N5

 Komposisi NbAs tersedia atas permintaan

4

Indium Arsenide InAs

5N 6N

 Komposisi InAs tersedia atas permintaan

5

Pembungkusan

500g atau 1000g dalam botol polietilena atau beg komposit, kotak kadbod di luar

Gallium Arsenide

GaAs

Gallium Arsenide GaAs, bahan semikonduktor celah langsung kompaun III–V dengan struktur kristal campuran zink, disintesis oleh galium ketulenan tinggi dan unsur arsenik, dan boleh dihiris dan dibuat menjadi wafer dan kosong daripada jongkong kristal tunggal yang ditanam dengan kaedah Vertical Gradient Freeze (VGF). .Terima kasih kepada mobiliti dewan tepu dan kestabilan kuasa & suhu tinggi, komponen RF, IC gelombang mikro & peranti LED yang dibuat olehnya semuanya mencapai prestasi hebat dalam adegan komunikasi frekuensi tinggi mereka.Sementara itu, kecekapan penghantaran cahaya UVnya juga membolehkan ia menjadi bahan asas yang terbukti dalam industri Fotovoltaik.Wafer Gallium Arsenide GaAs di Western Minmetals (SC) Corporation boleh dihantar sehingga diameter 6" atau 150mm dengan ketulenan 6N 7N, dan substrat gred mekanikal Gallium Arsenide juga tersedia. Sementara itu, bar polihabluran Gallium Arsenide, ketulan dan butiran dll dengan ketulenan daripada 99.999% 5N, 99.9999% 6N, 99.99999% 7N yang disediakan daripada Western Minmetals (SC) Corporation juga tersedia atau sebagai spesifikasi tersuai atas permintaan.

Indium Arsenide

InAs

Indium Arsenide InAs, semikonduktor celah jalur terus yang menghablur dalam struktur campuran zink, sebatian oleh unsur indium dan arsenik ketulenan tinggi, yang ditanam melalui kaedah Cecair Encapsulated Czochralski (LEC), boleh dihiris dan dibuat menjadi wafer daripada jongkong kristal tunggal.Disebabkan oleh ketumpatan terkehel yang rendah tetapi kekisi malar, InAs ialah substrat yang ideal untuk menyokong lagi struktur InAsSb, InAsPSb & InNAsSb heterogen, atau struktur superlattice AlGaSb.Oleh itu, ia memainkan peranan penting dalam fabrikasi peranti pemancar inframerah julat gelombang 2-14 μm.Selain itu, mobiliti dewan tertinggi tetapi jurang jalur tenaga sempit InAs juga membolehkan ia menjadi substrat yang hebat untuk komponen dewan atau pembuatan peranti laser & sinaran lain.Indium Arsenide InAs di Western Minmetals (SC) Corporation dengan ketulenan 99.99% 4N, 99.999% 5N, 99.9999% 6N boleh dihantar dalam substrat diameter 2" 3" 4". Sementara itu, ketulan polihabluran Indium Arsenide di Western Minmetals (SC ) Corporation juga tersedia atau sebagai spesifikasi tersuai atas permintaan.

Niobium Arsenide

NbAs-2

Niobium Arsenide Nb5As3 or NbAs,pepejal hablur putih atau kelabu, CAS No.12255-08-2, berat formula 653.327 Nb5As3dan 167.828 NbAs, ialah sebatian binari Niobium dan Arsenik dengan komposisi NbAs,Nb5As3, NbAs4 …dsb yang disintesis melalui kaedah CVD, garam pepejal ini mempunyai tenaga kekisi yang sangat tinggi dan toksik disebabkan oleh ketoksikan sedia ada arsenik.Analisis haba suhu tinggi menunjukkan NdA mempamerkan volatilisasi arsenik semasa pemanasan. Niobium Arsenide, semilogam Weyl, ialah sejenis bahan semikonduktor dan fotoelektrik dalam aplikasi untuk semikonduktor, optik foto, diod pemancar cahaya laser, titik kuantum, penderia optik dan tekanan, sebagai perantaraan, dan untuk menghasilkan superkonduktor dsb. Niobium Arsenide Nb5As3atau NbA di Western Minmetals (SC) Corporation dengan ketulenan 99.99% 4N boleh dihantar dalam bentuk serbuk, butiran, ketulan, sasaran dan kristal pukal dll atau sebagai spesifikasi tersuai, yang harus disimpan dalam tertutup baik, tahan cahaya , tempat yang kering dan sejuk.

Tips Perolehan

  • Sampel Tersedia Atas Permintaan
  • Keselamatan Penghantaran Barang Melalui Kurier/Udara/Laut
  • Pengurusan Kualiti COA/COC
  • Pembungkusan Selamat & Mudah
  • Pembungkusan Standard PBB Tersedia Atas Permintaan
  • Diperakui ISO9001:2015
  • Syarat CPT/CIP/FOB/CFR Mengikut Incoterms 2010
  • Syarat Pembayaran Fleksibel T/TD/PL/C Boleh Diterima
  • Perkhidmatan Selepas Jualan Dimensi Penuh
  • Pemeriksaan Kualiti Oleh Kemudahan Terkini
  • Kelulusan Peraturan Rohs/REACH
  • Perjanjian Bukan Pendedahan NDA
  • Dasar Mineral Tanpa Konflik
  • Semakan Pengurusan Alam Sekitar Berkala
  • Pemenuhan Tanggungjawab Sosial

Cd2As3 Nb2As3GaAs InAs

  • Sebelumnya:
  • Seterusnya:

    • Produk Berkaitan

    Tekan Enter untuk mencari atau Esc untuk menutup
    kod QR