Indium Arsenide InAs

Penerangan

Kristal Indium arsenide InAs ialah semikonduktor sebatian kumpulan III-V yang disintesis oleh sekurang-kurangnya 6N 7N unsur Indium dan Arsenik tulen dan kristal tunggal yang ditanam oleh proses VGF atau Cecair Encapsulated Czochralski (LEC), rupa warna kelabu, kristal padu dengan struktur campuran zink , takat lebur 942 °C.Jurang jalur indium arsenide ialah peralihan langsung yang serupa dengan gallium arsenide, dan lebar jalur terlarang ialah 0.45eV (300K).Kristal InAs mempunyai keseragaman tinggi parameter elektrik, kekisi malar, mobiliti elektron tinggi dan ketumpatan kecacatan yang rendah.Kristal InAs berbentuk silinder yang ditanam oleh VGF atau LEC boleh dihiris dan dibuat menjadi wafer sebagai-potong, terukir, digilap atau epi-sedia untuk pertumbuhan epitaxial MBE atau MOCVD.

Aplikasi

Wafer kristal indium arsenide ialah substrat yang bagus untuk membuat peranti Hall dan penderia medan magnet untuk mobiliti dewan tertinggi tetapi celah jalur tenaga yang sempit, bahan yang ideal untuk pembinaan pengesan inframerah dengan julat panjang gelombang 1–3.8 µm yang digunakan dalam aplikasi berkuasa tinggi. pada suhu bilik, serta laser kekisi super inframerah pertengahan gelombang, fabrikasi peranti LED inframerah pertengahan untuk julat panjang gelombang 2-14 μm.Tambahan pula, InAs ialah substrat yang ideal untuk menyokong lagi struktur kekisi super InGaA, InAsSb, InAsPSb & InNAsSb atau AlGaSb yang heterogen dan lain-lain.

Siasatan sekarang

Butiran

Tag

Spesifikasi teknikal

Indium Arsenide

InAs

Wafer Kristal Indium Arsenideialah substrat yang hebat untuk membuat peranti Hall dan penderia medan magnet untuk mobiliti dewan tertinggi tetapi jurang jalur tenaga yang sempit, bahan yang ideal untuk pembinaan pengesan inframerah dengan julat panjang gelombang 1–3.8 µm digunakan dalam aplikasi berkuasa tinggi pada suhu bilik, serta laser kekisi super inframerah pertengahan gelombang, fabrikasi peranti LED inframerah pertengahan untuk julat panjang gelombang 2-14 μm.Tambahan pula, InAs ialah substrat yang ideal untuk menyokong lagi struktur kekisi super InGaA, InAsSb, InAsPSb & InNAsSb atau AlGaSb yang heterogen dan lain-lain.

Tidak.	barang	Spesifikasi Standard
1	Saiz	2"	3"	4"
2	Diameter mm	50.5±0.5	76.2±0.5	100±0.5
3	Kaedah Pertumbuhan	LEC	LEC	LEC
4	Kekonduksian	P-jenis/Zn-doped, N-type/S-doped, Tidak-doped
5	Orientasi	(100)±0.5°, (111)±0.5°
6	Ketebalan μm	500±25	600±25	800±25
7	Orientasi Rata mm	16±2	22±2	32±2
8	Pengenalan Flat mm	8±1	11±1	18±1
9	Mobiliti cm2/Vs	60-300, ≥2000 atau mengikut keperluan
10	Kepekatan Pembawa cm-3	(3-80)E17 atau ≤5E16
11	TTV μm maks	10	10	10
12	Tunduk μm maks	10	10	10
13	Warp μm maks	15	15	15
14	Ketumpatan Kehelan cm-2 maks	1000	2000	5000
15	Kemasan Permukaan	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
16	Pembungkusan	Bekas wafer tunggal dimeterai dalam beg Aluminium.

Formula Linear	InAs
Berat Molekul	189.74
Struktur kristal	Campuran zink
Penampilan	Pepejal kristal kelabu
Takat lebur	(936-942)°C
Takat didih	T/A
Ketumpatan pada 300K	5.67 g/sm³
Jurang Tenaga	0.354 eV
Rintangan Intrinsik	0.16 Ω-cm
Nombor CAS	1303-11-3
Nombor EC	215-115-3

Indium Arsenide InAsdi Western Minmetals (SC) Corporation boleh dibekalkan sebagai ketulan polihabluran atau kristal tunggal sebagai-potong, terukir, digilap, atau wafer sedia-epi dalam saiz diameter 2" 3" dan 4" (50mm, 75mm,100mm), dan jenis-p, jenis-n atau kekonduksian tidak terdop dan orientasi <111> atau <100>.Spesifikasi tersuai adalah untuk penyelesaian yang sempurna kepada pelanggan kami di seluruh dunia.