GaP Gallium Phosphide

Penerangan

Gallium Phosphide GaP, semikonduktor penting yang mempunyai sifat elektrik unik seperti bahan kompaun III-V yang lain, menghablur dalam struktur ZB padu yang stabil secara termodinamik, ialah bahan kristal separuh telus oren-kuning dengan jurang jalur tidak langsung 2.26 eV (300K), iaitu disintesis daripada galium dan fosforus ketulenan tinggi 6N 7N, dan ditanam menjadi kristal tunggal dengan teknik Liquid Encapsulated Czochralski (LEC).Kristal Gallium Phosphide ialah sulfur atau tellurium yang didopkan untuk mendapatkan semikonduktor jenis-n, dan zink yang didopkan sebagai kekonduksian jenis-p untuk fabrikasi selanjutnya menjadi wafer yang dikehendaki, yang mempunyai aplikasi dalam sistem optik, elektronik dan peranti optoelektronik lain.Wafer GaP Kristal Tunggal boleh disediakan Epi-Ready untuk aplikasi epitaxial LPE, MOCVD dan MBE anda.Kristal tunggal Gallium phosphide GaP wafer p-jenis, n-jenis atau kekonduksian tidak terdod di Western Minmetals (SC) Corporation boleh ditawarkan dalam saiz 2″dan 3” (50mm, diameter 75mm), orientasi <100>,<111 > dengan kemasan permukaan proses yang dipotong, digilap atau epi-siap.

Aplikasi

Dengan arus rendah dan kecekapan tinggi dalam pemancaran cahaya, wafer GaP Gallium phosphide sesuai untuk sistem paparan optik sebagai diod pemancar cahaya (LED) merah, oren dan hijau kos rendah dan lampu latar LCD kuning dan hijau dll dan pembuatan cip LED dengan kecerahan rendah hingga sederhana, GaP juga digunakan secara meluas sebagai substrat asas untuk penderia inframerah dan pembuatan kamera pemantauan.

Siasatan sekarang

Butiran

Tag

Spesifikasi teknikal

GaP Gallium Phosphide

Wafer GaP Gallium Phosphide kristal tunggal berkualiti tinggi atau substrat jenis p, jenis n atau kekonduksian tidak terdod di Western Minmetals (SC) Corporation boleh ditawarkan dalam saiz diameter 2″ dan 3” (50mm, 75mm), orientasi <100> , <111> dengan kemasan permukaan seperti dipotong, dilap, terukir, digilap, siap epi diproses dalam bekas wafer tunggal yang dimeterai dalam beg komposit aluminium atau sebagai spesifikasi tersuai untuk penyelesaian yang sempurna.

Tidak.	barang	Spesifikasi Standard
1	Saiz GaP	2"
2	Diameter mm	50.8 ± 0.5
3	Kaedah Pertumbuhan	LEC
4	Jenis Kekonduksian	P-jenis/Zn-doped, N-type/(S, Si,Te)-doped, Un-doped
5	Orientasi	<1 1 1> ± 0.5°
6	Ketebalan μm	(300-400) ± 20
7	Kerintangan Ω-cm	0.003-0.3
8	Orientasi Rata (OF) mm	16±1
9	Pengecaman Rata (JIKA) mm	8±1
10	Mobiliti Dewan cm2/Vs min	100
11	Kepekatan Pembawa cm^-3	(2-20) E17
12	Ketumpatan Kehelan cm^-2maks	2.00E+05
13	Kemasan Permukaan	P/E, P/P
14	Pembungkusan	Bekas wafer tunggal dimeterai dalam beg komposit aluminium, kotak kadbod di luar

Formula Linear	GaP
Berat Molekul	100.7
Struktur kristal	Campuran zink
Penampilan	Pepejal oren
Takat lebur	T/A
Takat didih	T/A
Ketumpatan pada 300K	4.14 g/cm³
Jurang Tenaga	2.26 eV
Kerintangan intrinsik	T/A
Nombor CAS	12063-98-8
Nombor EC	235-057-2

Wafer GaP Gallium Phosphide, dengan arus rendah dan kecekapan tinggi dalam pemancaran cahaya, sesuai untuk sistem paparan optik sebagai diod pemancar cahaya (LED) merah, oren dan hijau kos rendah dan lampu latar LCD kuning dan hijau dll dan pembuatan cip LED dengan rendah hingga sederhana. kecerahan, GaP juga digunakan secara meluas sebagai substrat asas untuk penderia inframerah dan pembuatan kamera pemantauan.