Indium Phosphide InP

Penerangan

Indium Phosphide InP,CAS No.22398-80-7, takat lebur 1600°C, semikonduktor sebatian binari bagi keluarga III-V, struktur hablur "zink blende" padu berpusat muka, sama dengan kebanyakan semikonduktor III-V, disintesis daripada 6N 7N unsur indium dan fosforus ketulenan tinggi, dan ditanam menjadi kristal tunggal dengan teknik LEC atau VGF.Kristal Indium Phosphide didopkan kepada jenis-n, jenis-p atau kekonduksian separa penebat untuk fabrikasi wafer selanjutnya sehingga diameter 6″ (150 mm), yang menampilkan jurang jalur langsungnya, mobiliti elektron dan lubang tinggi yang unggul serta terma yang cekap kekonduksian.Indium Phosphide InP Wafer gred perdana atau ujian di Western Minmetals (SC) Corporation boleh ditawarkan dengan kekonduksian jenis-p, jenis-n dan separa penebat dalam saiz diameter 2” 3” 4” dan 6” (sehingga 150mm), orientasi <111> atau <100> dan ketebalan 350-625um dengan kemasan permukaan terukir dan digilap atau proses sedia Epi.Sementara itu, jongkong Kristal Tunggal Indium Phosphide 2-6″ tersedia atas permintaan.Polycrystalline Indium Phosphide InP atau Multi-crystal InP ingot dalam saiz D(60-75) x Panjang (180-400) mm 2.5-6.0kg dengan kepekatan pembawa kurang daripada 6E15 atau 6E15-3E16 juga tersedia.Sebarang spesifikasi tersuai tersedia atas permintaan untuk mencapai penyelesaian yang sempurna.

Aplikasi

Wafer Indium Phosphide InP digunakan secara meluas untuk pembuatan komponen optoelektronik, peranti elektronik berkuasa tinggi dan frekuensi tinggi, sebagai substrat untuk peranti opto-elektronik berasaskan indium-gallium-arsenide (InGaAs) epitaxial.Indium Phosphide juga dalam fabrikasi untuk sumber cahaya yang sangat menjanjikan dalam komunikasi gentian optik, peranti sumber kuasa gelombang mikro, penguat gelombang mikro dan peranti FET get, modulator dan pengesan foto berkelajuan tinggi, dan navigasi satelit dan sebagainya.

Siasatan sekarang

Butiran

Tag

Spesifikasi teknikal

Indium Phosphide InP

Kristal Tunggal Indium PhosphideWafer (Jongkong kristal InP atau Wafer) di Western Minmetals (SC) Corporation boleh ditawarkan dengan kekonduksian jenis-p, jenis-n dan separa penebat dalam saiz diameter 2” 3” 4” dan 6” (sehingga 150mm), orientasi <111> atau <100> dan ketebalan 350-625um dengan kemasan permukaan terukir dan digilap atau proses sedia Epi.

Indium Phosphide Polihabluranatau Jongkong Berbilang Kristal (Jongkong poli InP) bersaiz D(60-75) x L(180-400) mm 2.5-6.0kg dengan kepekatan pembawa kurang daripada 6E15 atau 6E15-3E16 tersedia.Sebarang spesifikasi tersuai tersedia atas permintaan untuk mencapai penyelesaian yang sempurna.

Tidak.	barang	Spesifikasi Standard
1	Kristal Tunggal Indium Phosphide	2"	3"	4"
2	Diameter mm	50.8±0.5	76.2±0.5	100±0.5
3	Kaedah Pertumbuhan	VGF	VGF	VGF
4	Kekonduksian	P/Zn-doped, N/(S-doped atau un-doped), Separa penebat
5	Orientasi	(100)±0.5°, (111)±0.5°
6	Ketebalan μm	350±25	600±25	600±25
7	Orientasi Rata mm	16±2	22±1	32.5±1
8	Pengenalan Flat mm	8±1	11±1	18±1
9	Mobiliti cm2/Vs	50-70, >2000, (1.5-4)E3
10	Kepekatan Pembawa cm-3	(0.6-6)E18, ≤3E16
11	TTV μm maks	10	10	10
12	Tunduk μm maks	10	10	10
13	Warp μm maks	15	15	15
14	Ketumpatan Kehelan cm-2 maks	500	1000	2000
15	Kemasan Permukaan	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
16	Pembungkusan	Bekas wafer tunggal dimeterai dalam beg komposit aluminium.

Tidak.	barang	Spesifikasi Standard
1	Jongkong Indium Phosphide	Polikristalin atau Jongkong Berbilang Kristal
2	Saiz Kristal	D(60-75) x L(180-400)mm
3	Berat setiap Jongkong Kristal	2.5-6.0Kg
4	mobiliti	≥3500 sm²/VS
5	Kepekatan Pembawa	≤6E15, atau 6E15-3E16 cm^-3
6	Pembungkusan	Setiap jongkong kristal InP berada dalam beg plastik tertutup, 2-3 jongkong dalam satu kotak kadbod.

Formula Linear	Dalam p
Berat Molekul	145.79
Struktur kristal	Campuran zink
Penampilan	Berkristal
Takat lebur	1062°C
Takat didih	T/A
Ketumpatan pada 300K	4.81 g/sm³
Jurang Tenaga	1.344 eV
Kerintangan intrinsik	8.6E7 Ω-cm
Nombor CAS	22398-80-7
Nombor EC	244-959-5

Indium Phosphide InP Waferdigunakan secara meluas untuk pembuatan komponen optoelektronik, peranti elektronik berkuasa tinggi dan frekuensi tinggi, sebagai substrat untuk peranti opto-elektronik berasaskan indium-gallium-arsenide (InGaAs) epitaxial.Indium Phosphide juga dalam fabrikasi untuk sumber cahaya yang sangat menjanjikan dalam komunikasi gentian optik, peranti sumber kuasa gelombang mikro, penguat gelombang mikro dan peranti FET get, modulator dan pengesan foto berkelajuan tinggi, dan navigasi satelit dan sebagainya.