Gallium Antimonide GaSb

Penerangan

Gallium Antimonide GaSb, semikonduktor bagi sebatian kumpulan III–V dengan struktur kekisi zink-campuran, disintesis oleh galium ketulenan tinggi 6N 7N dan unsur antimoni, dan ditanam kepada kristal melalui kaedah LEC daripada jongkong polihabluran beku arah atau kaedah VGF dengan EPD<1000cm^-3.Wafer GaSb boleh dihiris dan dibuat selepas itu daripada jongkong kristal tunggal dengan keseragaman tinggi parameter elektrik, struktur kekisi yang unik dan malar, dan ketumpatan kecacatan rendah, indeks biasan tertinggi berbanding kebanyakan sebatian bukan logam yang lain.GaSb boleh diproses dengan pelbagai pilihan dalam orientasi tepat atau luar, kepekatan doped rendah atau tinggi, kemasan permukaan yang baik dan untuk pertumbuhan epitaxial MBE atau MOCVD.Substrat Gallium Antimonide sedang digunakan dalam aplikasi foto-optik dan optoelektronik yang paling canggih seperti fabrikasi pengesan foto, pengesan inframerah dengan jangka hayat yang panjang, kepekaan dan kebolehpercayaan yang tinggi, komponen fotoresist, LED dan laser inframerah, transistor, sel fotovoltaik terma dan sistem termo-fotovoltaik.

Penghantaran

Gallium Antimonide GaSb di Western Minmetals (SC) Corporation boleh ditawarkan dengan kekonduksian separa penebat jenis-n, p-jenis dan tidak terdod dalam saiz diameter 2” 3” dan 4” (50mm, 75mm, 100mm), orientasi <111> atau <100>, dan dengan kemasan permukaan wafer daripada kemasan siap epitaksi seperti yang dipotong, terukir, digilap atau berkualiti tinggi.Semua kepingan ditulis secara laser secara individu untuk identiti.Sementara itu, ketulan GaSb polycrystalline gallium antimonide juga disesuaikan atas permintaan kepada penyelesaian yang sempurna.

Siasatan sekarang

Butiran

Tag

Spesifikasi teknikal

Gallium Antimonide

GaSb

Gallium Antimonide GaSbsubstrat sedang digunakan dalam aplikasi foto-optik dan optoelektronik yang paling canggih seperti fabrikasi pengesan foto, pengesan inframerah dengan jangka hayat yang panjang, kepekaan dan kebolehpercayaan yang tinggi, komponen photoresist, LED dan laser inframerah, transistor, sel fotovoltaik terma dan termo -sistem fotovoltaik.

	barang	Spesifikasi Standard
1	Saiz	2"	3"	4"
2	Diameter mm	50.5±0.5	76.2±0.5	100±0.5
3	Kaedah Pertumbuhan	LEC	LEC	LEC
4	Kekonduksian	P-jenis/Zn-doped, Tidak-doped, N-type/Te-doped
5	Orientasi	(100)±0.5°, (111)±0.5°
6	Ketebalan μm	500±25	600±25	800±25
7	Orientasi Rata mm	16±2	22±1	32.5±1
8	Pengenalan Flat mm	8±1	11±1	18±1
9	Mobiliti cm2/Vs	200-3500 atau mengikut keperluan
10	Kepekatan Pembawa cm-3	(1-100)E17 atau mengikut keperluan
11	TTV μm maks	15	15	15
12	Tunduk μm maks	15	15	15
13	Warp μm maks	20	20	20
14	Ketumpatan Kehelan cm-2 maks	500	1000	2000
15	Kemasan Permukaan	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
16	Pembungkusan	Bekas wafer tunggal dimeterai dalam beg Aluminium.

Formula Linear	GaSb
Berat Molekul	191.48
Struktur kristal	Campuran zink
Penampilan	Pepejal kristal kelabu
Takat lebur	710°C
Takat didih	T/A
Ketumpatan pada 300K	5.61 g/sm³
Jurang Tenaga	0.726 eV
Kerintangan intrinsik	1E3 Ω-cm
Nombor CAS	12064-03-8
Nombor EC	235-058-8

Gallium Antimonide GaSbdi Western Minmetals (SC) Corporation boleh ditawarkan dengan kekonduksian separa penebat jenis-n, jenis-p dan tidak terdod dalam saiz 2” 3” dan 4” (50mm, 75mm, 100mm) diameter, orientasi <111> atau <100 >, dan dengan kemasan permukaan wafer daripada kemasan siap epitaksi seperti yang dipotong, terukir, digilap atau berkualiti tinggi.Semua kepingan ditulis secara laser secara individu untuk identiti.Sementara itu, ketulan GaSb polycrystalline gallium antimonide juga disesuaikan atas permintaan kepada penyelesaian yang sempurna.