Epitaxial (EPI) Silicon Wafer Featured Image

Wafer Silikon Epitaxial (EPI).

Penerangan

Wafer Silikon Epitaxialatau EPI Silicon Wafer, ialah wafer lapisan kristal semikonduktor yang didepositkan pada permukaan kristal yang digilap substrat silikon oleh pertumbuhan epitaxial.Lapisan epitaxial mungkin bahan yang sama dengan substrat oleh pertumbuhan epitaxial homogen, atau lapisan eksotik dengan kualiti khusus yang diingini oleh pertumbuhan epitaxial heterogen, yang menggunakan teknologi pertumbuhan epitaxial termasuk pemendapan wap kimia CVD, LPE epitaksi fasa cecair, serta rasuk molekul epitaxy MBE untuk mencapai kualiti tertinggi ketumpatan kecacatan rendah dan kekasaran permukaan yang baik.Wafer Epitaxial Silikon digunakan terutamanya dalam pengeluaran peranti semikonduktor termaju, IC elemen semikonduktor yang sangat bersepadu, peranti diskret dan kuasa, juga digunakan untuk elemen diod dan transistor atau substrat untuk IC seperti jenis bipolar, peranti MOS dan BiCMOS.Tambahan pula, wafer silikon EPI epitaxial berbilang lapisan dan filem tebal sering digunakan dalam aplikasi mikroelektronik, fotonik dan fotovoltaik.

Penghantaran

Wafer Silikon Epitaxial atau Wafer Silikon EPI di Western Minmetals (SC) Corporation boleh ditawarkan dalam saiz 4, 5 dan 6 inci (diameter 100mm, 125mm, 150mm), dengan orientasi <100>, <111>, kerintangan epilayer <1ohm -cm atau sehingga 150ohm-cm, dan ketebalan epilayer <1um atau sehingga 150um, untuk memenuhi pelbagai keperluan dalam kemasan permukaan rawatan terukir atau LTO, dibungkus dalam kaset dengan kotak karton di luar, atau sebagai spesifikasi tersuai untuk penyelesaian yang sempurna .

Siasatan sekarang

Butiran

Tag

Spesifikasi teknikal

Wafer Silikon Epi

Wafer Silikon Epitaxialatau EPI Silicon Wafer di Western Minmetals (SC) Corporation boleh ditawarkan dalam saiz 4, 5 dan 6 inci (diameter 100mm, 125mm, 150mm), dengan orientasi <100>, <111>, kerintangan epilayer <1ohm-cm atau sehingga 150ohm-cm, dan ketebalan epilayer <1um atau sehingga 150um, untuk memenuhi pelbagai keperluan dalam kemasan permukaan rawatan terukir atau LTO, dibungkus dalam kaset dengan kotak kadbod di luar, atau sebagai spesifikasi tersuai untuk penyelesaian yang sempurna.

Simbol	Si
Nombor atom	14
Berat Atom	28.09
Kategori Unsur	Metaloid
Kumpulan, Tempoh, Blok	14, 3, P
Struktur kristal	Berlian
Warna	Kelabu gelap
Takat lebur	1414°C, 1687.15 K
Takat didih	3265°C, 3538.15 K
Ketumpatan pada 300K	2.329 g/cm³
Kerintangan intrinsik	3.2E5 Ω-cm
Nombor CAS	7440-21-3
Nombor EC	231-130-8

Tidak.	barang	Spesifikasi Standard
1	Ciri-ciri Umum
1-1	Saiz	4"	5"	6"
1-2	Diameter mm	100±0.5	125±0.5	150±0.5
1-3	Orientasi	<100>, <111>	<100>, <111>	<100>, <111>
2	Ciri-ciri Lapisan Epitaxial
2-1	Kaedah Pertumbuhan	CVD	CVD	CVD
2-2	Jenis Kekonduksian	P atau P+, N/ atau N+	P atau P+, N/ atau N+	P atau P+, N/ atau N+
2-3	Ketebalan μm	2.5-120	2.5-120	2.5-120
2-4	Keseragaman Ketebalan	≤3%	≤3%	≤3%
2-5	Kerintangan Ω-cm	0.1-50	0.1-50	0.1-50
2-6	Keseragaman Rintangan	≤3%	≤5%	-
2-7	Dislokasi cm-2	<10	<10	<10
2-8	Kualiti Permukaan	Tiada cip, jerebu atau kulit oren kekal, dsb.
3	Mengendalikan Ciri-ciri Substrat
3-1	Kaedah Pertumbuhan	CZ	CZ	CZ
3-2	Jenis Kekonduksian	P/N	P/N	P/N
3-3	Ketebalan μm	525-675	525-675	525-675
3-4	Ketebalan Keseragaman maks	3%	3%	3%
3-5	Kerintangan Ω-cm	Seperti yang dikehendaki	Seperti yang dikehendaki	Seperti yang dikehendaki
3-6	Keseragaman Rintangan	5%	5%	5%
3-7	TTV μm maks	10	10	10
3-8	Tunduk μm maks	30	30	30
3-9	Warp μm maks	30	30	30
3-10	EPD cm-2 maks	100	100	100
3-11	Profil Tepi	Bulat	Bulat	Bulat
3-12	Kualiti Permukaan	Tiada cip, jerebu atau kulit oren kekal, dsb.
3-13	Kemasan Bahagian Belakang	Terukir atau LTO (5000±500Å)
4	Pembungkusan	Kaset di dalam, kotak kadbod di luar.

Wafer Epitaxial Silikondigunakan terutamanya dalam pengeluaran peranti semikonduktor termaju, IC elemen semikonduktor yang sangat bersepadu, peranti diskret dan kuasa, juga digunakan untuk elemen diod dan transistor atau substrat untuk IC seperti jenis bipolar, peranti MOS dan BiCMOS.Tambahan pula, wafer silikon EPI epitaxial berbilang lapisan dan filem tebal sering digunakan dalam aplikasi mikroelektronik, fotonik dan fotovoltaik.