Indium Antimonide InSb

Penerangan

Indium Antimonide InSb, semikonduktor bagi sebatian kristal kumpulan III–V dengan struktur kekisi zink-campuran, disintesis oleh 6N 7N ketulenan tinggi Indium dan unsur antimoni, dan hablur tunggal ditanam dengan kaedah VGF atau kaedah Liquid Encapsulated Czochralski LEC daripada jongkong polihabluran ditapis berbilang zon, yang boleh dihiris dan dibuat menjadi wafer dan blok selepas itu.InSb ialah semikonduktor peralihan terus dengan jurang jalur sempit 0.17eV pada suhu bilik, kepekaan tinggi kepada panjang gelombang 1–5μm dan mobiliti dewan ultra tinggi.Indium Antimonide InSb jenis n, jenis p dan kekonduksian separa penebat di Western Minmetals (SC) Corporation boleh ditawarkan dalam saiz 1″ 2″ 3″ dan 4” (30mm, 50mm, 75mm, 100mm) diameter, orientasi < 111> atau <100>, dan dengan kemasan permukaan wafer seperti dipotong, dilap, terukir dan digilap.Sasaran Indium Antimonide InSb Dia.50-80mm dengan jenis n yang tidak didop juga tersedia.Sementara itu, polycrystalline indium antimonide InSb ( multicrystal InSb) dengan saiz ketulan tidak teratur, atau kosong (15-40) x (40-80)mm, dan bar bulat D30-80mm juga disesuaikan atas permintaan kepada penyelesaian yang sempurna.

Permohonan

Indium Antimonide InSb ialah satu substrat yang sesuai untuk pengeluaran banyak komponen dan peranti canggih, seperti penyelesaian pengimejan terma termaju, sistem FLIR, elemen dewan dan elemen kesan rintangan magnet, sistem panduan peluru berpandu homing inframerah, sensor pengesan foto Inframerah yang sangat responsif , sensor kerintangan magnet dan putar berketepatan tinggi, tatasusunan planar fokus, dan juga disesuaikan sebagai sumber sinaran terahertz dan dalam teleskop angkasa astronomi inframerah dsb.

Siasatan sekarang

Butiran

Tag

Spesifikasi teknikal

Indium Antimonide

InSb

Substrat Indium Antimonide(Substrat InSb, Wafer InSb) jenis-n atau jenis-p di Western Minmetals (SC) Corporation boleh ditawarkan dalam saiz 1" 2" 3" dan 4" (30, 50, 75 dan 100mm) diameter, orientasi <111> atau <100>, dan dengan permukaan wafer daripada kemasan yang dilap, terukir, digilap. Bar Kristal Tunggal Indium Antimonide (bar Monocrystal InSb) juga boleh dibekalkan atas permintaan.

Indium AntimonidePolycrystalline (InSb Polycrystalline, atau multicrystal InSb) dengan saiz ketulan yang tidak teratur, atau kosong (15-40)x(40-80)mm juga disesuaikan atas permintaan kepada penyelesaian yang sempurna.

Sementara itu, Sasaran Indium Antimonide (Sasaran InSb) Dia.50-80mm dengan jenis n yang tidak didop juga tersedia.

Tidak.	barang	Spesifikasi Standard
1	Substrat Indium Antimonide	2"	3"	4"
2	Diameter mm	50.5±0.5	76.2±0.5	100±0.5
3	Kaedah Pertumbuhan	LEC	LEC	LEC
4	Kekonduksian	P-jenis/Zn,Ge doped, N-jenis/Te-doped, Un-doped
5	Orientasi	(100)±0.5°, (111)±0.5°
6	Ketebalan μm	500±25	600±25	800±25
7	Orientasi Rata mm	16±2	22±1	32.5±1
8	Pengenalan Flat mm	8±1	11±1	18±1
9	Mobiliti cm2/Vs	1-7E5 N/tidak-didop， 3E5-2E4 N/Te-didop, 8-0.6E3 atau ≤8E13 P/Ge-didop
10	Kepekatan Pembawa cm-3	6E13-3E14 N/un-doped, 3E14-2E18 N/Te-doped, 1E14-9E17 atau <1E14 P/Ge-doped
11	TTV μm maks	15	15	15
12	Tunduk μm maks	15	15	15
13	Warp μm maks	20	20	20
14	Ketumpatan Kehelan cm-2 maks	50	50	50
15	Kemasan Permukaan	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
16	Pembungkusan	Bekas wafer tunggal dimeterai dalam beg Aluminium.

Tidak.	barang	Spesifikasi Standard
Tidak.	barang	Indium Antimonide Polycrystalline	Sasaran Indium Antimonide
1	Kekonduksian	Dinyahdop	Dinyahdop
2	Kepekatan Pembawa cm^-3	6E13-3E14	1.9-2.1E16
3	Mobiliti cm²/vs	5-7E5	6.9-7.9E4
4	Saiz	15-40x40-80 mm	D(50-80) mm
5	Pembungkusan	Dalam beg aluminium komposit, kotak kadbod di luar

Formula Linear	InSb
Berat Molekul	236.58
Struktur kristal	Campuran zink
Penampilan	Kristal metalik kelabu gelap
Takat lebur	527 °C
Takat didih	T/A
Ketumpatan pada 300K	5.78 g/sm³
Jurang Tenaga	0.17 eV
Kerintangan intrinsik	4E(-3) Ω-cm
Nombor CAS	1312-41-0
Nombor EC	215-192-3

Indium Antimonide InSbwafer ialah satu substrat yang sesuai untuk pengeluaran banyak komponen dan peranti canggih, seperti penyelesaian pengimejan terma termaju, sistem FLIR, elemen dewan dan elemen kesan rintangan magnet, sistem bimbingan peluru berpandu homing inframerah, sensor pengesan foto Inframerah yang sangat responsif, tinggi -penderia kerintangan magnet dan putar ketepatan, tatasusunan planar fokus, dan juga disesuaikan sebagai sumber sinaran terahertz dan dalam teleskop angkasa astronomi inframerah dsb.